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    Lam Rainbow 4420 等离子刻蚀机
     
    制造商:Lam Research

    成色:由Allwin21全面翻新

    晶圆尺寸:4″/5″/6″/8″

    传片系统:全自动, 原装机械传片系统

    等离子电源:射频,13.56MHz

    类型:晶圆水平放置,单片工艺,等离子刻蚀,反应离子刻蚀,独立机台

    刻蚀材料:多晶硅,金属硅化物和氮化物

    工艺气体:根据客户需求配置MFC量程,最多可配备8路

    Lam Rainbow 4420 等离子刻蚀机概述:

    Lam Rainbow 4420刻蚀机是全自动,单片等离子/反应离子刻蚀系统,适用6”或8”晶片,主要特点:上下电极驱动板,可调节电极间距,非接触式全自动调整晶片位置。独特的射频匹配网络位于上下电极,可编程调节等离子和反应离子刻蚀两种模式。通过电脑控制,可调手动或自动模式。
    Lam Rainbow 4420等离子刻蚀机典型工艺应用:
    • ID S-001-002: 200mm硅化钨覆盖的多晶硅
    • ID S-001-3: 200mm 氮化硅覆盖的氧化硅
    • ID S-001-001: 200mm 浅槽刻蚀
    • ID S-001-004: 200 mm/150 mm C2F6工艺,去除多晶硅表面原有的氧化层
    • ID S-001-005: 200 mm/150 mm CF4工艺,刻蚀多晶硅表面原有的氧化层或厚度小于1000埃的氮化层
    • ID S-001-006: 100 mm C2F6工艺,用来氧化物-氮化物-氧化物刻蚀
    • ID S-001-007: 200 mm 3步氮化硅隔离刻蚀
    • ID S-001-008: 100 mm/ 150 mm SF6/HBr/He各向异性硅化钨刻蚀
    • ID S-001-009: 200 mm/ 150 mm 氯气/溴化氢主刻蚀,氯气/溴化氢/氧气过刻蚀
    • ID S-002-003: 200 mm 六氟化硫/氦气/三氟甲烷主刻蚀,六氟化硫/溴化氢/氧气过刻蚀
    • ID S-001-010: 200 mm/ 150 mm氯气/氦气/溴化氢主刻蚀,氯气/溴化氢/氧气过刻蚀
    • ID S-001-011: 200 mm 氮化物等离子体增强气相沉积刻蚀
    • ID S-001-012: 200 mm氮化物化学气相沉积刻蚀
    • ID S-001-013: 200 mm 各向同性多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-010: 150 mm/ 200 mm 表面刻蚀
    • ID XL-001-011: 200 mm BARC刻蚀
    • ID XL-001-001: 200/150 mm各项异性氮化物刻蚀
    • ID XL-001-002: 200 mm各项异性硅化钨/多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-003: 200 mm各项异性硅化钨/多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-004: 150 mm各项异性硅化钨/多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-005: 200 mm各项异性多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-006: 200 mm各项异性多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-007: 150 mm各项异性多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-008: 150 mm各项异性多晶硅刻蚀
    • ID XL-001-009: 150 mm / 200 mm 原生氧化层刻蚀/ONO刻蚀

     
     
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